光刻工艺，也以其别称Photomasking、masking、photolithography或micro-光刻闻名。在半导体芯片的制造过程中，它在晶圆表面或深层构建起晶体管、二极管、电容、电阻和金属层的物理组件。这些组件在掩模层上逐个生成，通过精细的光刻步骤，包括薄膜沉积和特定部分的去除，最终在晶圆上留下特征图形的精确轮廓。其核心目标是根据电路设计规范，精确地创建尺寸和位置一致的图形，确保与其他部件的正确集成。

光刻在所有制造工艺中扮演着至关重要的角色，因为它决定了器件的关键尺寸和性能。任何光刻过程中的偏差，如图形变形或套准问题，都可能影响器件的电气特性。图形位置的不准确同样会导致不良后果。此外，光刻过程像高精度摄影，却在微小的世界里进行，因此其面临的挑战之一是污染。在复杂的晶圆生产过程中，光刻可能要经历5到20层或更多步骤，这意味着任何污染问题都会被放大，对最终产品的质量产生重大影响。

扩展资料

光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。。