逻辑芯片与存储芯片的核心区别在于其功能与设计目标。逻辑芯片，如可编程逻辑器件（PLD），主要用于构建数字系统，其逻辑功能由用户编程决定，集成度高，适用于通用数字应用。

存储芯片则专用于存储业务，如闪存，主要存储数据与信息。通过集成软件于单个芯片，存储与逻辑芯片均可实现多功能、高性能，并支持多种协议与应用。

在工艺上，逻辑芯片目前仍在20nm左右，例如Intel的CPU，而存储芯片已接近10nm，如闪存。主要区别在于晶体管结构与工作模式，尽管两者都是相同的。

尺寸方面，根据门长指示，14/16nm FINFET的Lg不如2D NAND Flash的非接触式多晶硅半节距。半导体领域对工艺节点的命名方式不同，非易失性存储器（Flash）和逻辑产品（MPU/ASIC）各有其命名法。

新结构的引入，如FINFET和3D NAND，改变了第三点的定义。在14/16nm FINFET技术中，接触金属线的半节距实际上是28nm，而非标称值。最小阵列半间距（Minimumarrayhalfpitch）约为80nm，这是3D NAND的节点名称。

企业名称与工艺参数差异导致混淆常见，ASML提供了估算公式，可根据各公司实际工艺进行估算。目前，业界通常采用接近标称节点数的参数计算得出的数字。

先进程度方面，两种芯片的结构与评估方法各不相同，难以直接判断哪种技术更先进。每个领域都在以自己的方式前进，追求极致表现。