1. 可控硅是一种具有四个层级的半导体器件，包含三个PN结，其工作原理可视为由PNP和NPN两种晶体管组成的结构来分析。当阳极A接上正向电压，同时BG1和BG2晶体管均处于放大状态。此时，若控制极G接受到一个正向触发信号，BG2会产生基极电流ib2，并通过放大作用得到集电极电流ic2=β2ib2。由于BG2的集电极与BG1的基极相连，故ib1=ic2。

2. 电流ic2继续通过BG1放大，产生集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2，此电流又返回至BG2的基极，形成正反馈，导致ib2持续增加。这种正反馈循环使得两个晶体管的电流迅速增长，可控硅因此进入饱和导通状态。

3. 由于BG1和BG2构成的正反馈机制，可控硅一旦导通便能够自行维持导通状态，即使控制极G的触发信号消失。因此，这种可控硅被称为不可关断的。

4. 可控硅表现出开关特性，它只有两种状态：导通和关断。要实现状态转换，需要满足特定条件：

A. 从关断到导通：阳极电位高于阴极电位，控制极获得足够的正向电压和电流。

B. 维持导通：阳极电位高于阴极电位，阳极电流大于维持电流。

C. 从导通到关断：阳极电位低于阴极电位，阳极电流小于维持电流，任一条件满足即可。

5. 触发导通过程中，在控制极G施加正向电压，J3区发生正偏，导致P2区的空穴向N2区移动，同时N2区的电子向P2区移动，形成触发电流IGT。在可控硅内部正反馈的基础上，IGT的作用使得可控硅提前导通，伏安特性曲线OA段因此左移，IGT的大小决定了特性左移的速度。