SLC、MLC和TLC三者在存储技术上有明显区别。

SLC、MLC和TLC是三种不同类型的存储单元，它们代表了闪存中存储单元的不同类型，在存储容量、性能、价格等方面有所差异。

1.SLC即单层存储单元，每个存储单元只存储一位数据。SLC芯片性能较好，耐用性高，寿命长，价格较高。由于其结构简单，其数据可靠性较高，速度也相对较快。SLC闪存在读写速度上要优于其他类型的闪存。

2.MLC即多层存储单元，每个存储单元可以存储两位数据。相比于SLC，MLC闪存在单位面积上的存储容量更高，因此成本较低。但MLC的读写速度相对较慢，且在密集编程和擦除循环过程中可能会受到干扰。另外其可靠性和稳定性较SLC有所下降。部分廉价固态磁盘就会采用这种技术来降低成本。然而随着技术的进步，这些差异正在逐渐缩小。

3.TLC即三层存储单元，每个存储单元可以存储三位数据。TLC闪存相比SLC和MLC提供了更高的存储容量和更低的成本，但由于每个存储单元需要存储更多的数据位，因此读写速度较慢且可靠性较低。此外，TLC闪存在耐用性方面可能不如SLC和MLC闪存。然而随着制程技术的不断进步，新一代的TLC闪存芯片的性能有了显著提高。三者之间的差异在不断变化减少。具体到某个型号或产品上的性能差异需要根据实际情况判断对比选择最适合的存储器类型以满足不同需求和应用场景的需求。对于对速度和数据稳定性要求较高的场合推荐使用SLC闪存产品以确保数据的安全性和稳定性；而对于需要大量存储空间和预算有限的场合则可以考虑使用TLC闪存产品以获得更高的性价比。