导电好坏的判断可以根据单位电场(电压)下,电流的大小衡量。但如果说导电能力,则应该说由其电导衡量,由电导公式σ = nqμ + pqμ,则可看出由电子浓度和空穴浓度决定,因为材料的载流子迁移率在一定温度和电场(电压)下是恒定的。这样提高材料导电能力,可通过掺杂提高载流子浓度(电子浓度和空穴浓度),常温下硅本征载流子浓度为10^(10)/cm-3,一般重掺杂后载流子浓度为10^18/cm-3左右(常温下几乎全部电离),大幅度提高了半导体的导电能力(金属为10^22/cm-3左右)。
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导电好坏的判断可以根据单位电场(电压)下,电流的大小衡量。但如果说导电能力,则应该说由其电导衡量,由电导公式σ = nqμ + pqμ,则可看出由电子浓度和空穴浓度决定,因为材料的载流子迁移率在一定温度和电场(电压)下是恒定的。这样提高材料导电能力,可通过掺杂提高载流子浓度(电子浓度和空穴浓度),常温下硅本征载流子浓度为10^(10)/cm-3,一般重掺杂后载流子浓度为10^18/cm-3左右(常温下几乎全部电离),大幅度提高了半导体的导电能力(金属为10^22/cm-3左右)。
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