1. MLC（Multi-Level Cell）指的是每个存储单元可以存储2比特的信息，其速度、寿命和价格相对平衡，大约拥有3000至10000次的擦写寿命。

2. TLC（Trinary-Level Cell）或称为3比特/单元的存储技术，有些闪存制造商称之为8LC。这种存储单元的速度较慢，寿命较短，但价格更为经济，大约拥有500至1000次的擦写寿命。

3. 在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心部件，它决定了产品的成本、寿命和速度。闪存芯片颗粒主要分为三种类型：SLC（单层单元）、MLC（多层单元）和TLC（三层单元）。

4. 主板上的BIOS通常采用Flash Memory制造，中文称作“闪动的存储器”，也常简称为“闪存”。

5. 闪存盘是一种便携式存储设备，能够存储各种数据文件，便于携带，是个人数据移动的中心。

6. 闪存盘采用闪存存储介质和通用串行总线（USB）接口，具有体积小巧、使用便捷、携带方便、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特点，是理想的便携式存储工具。

7. 需要纠正的一个观念是，闪存的速度实际上是有限的。由于其操作速度和频率本身就低于内存，NAND型闪存类似于硬盘的操作方式，效率也比内存直接访问要慢。因此，闪存盘的性能瓶颈并不在接口，也不会因为采用USB2.0接口而显著提升性能。